东芝和产综研为解决电压驱动型MRAM重要课题开辟道路(3)
时间:2016-12-07 15:03
| 加载脉冲的专用电路的介绍 （点击放大） 这时，A开放时，读取写入前的记录信息，如果不需要写入信息，通过跳过写入程序，就可以提高写入速度。另外，C开放时，也就是在写入后对记录信息进行再次确认，以判断是否出现了错误。如果出现了错误，则再次写入同一信息。 根据实际制作的直径30nm的MTJ元件的实测数据，利用CMOS电路模拟器执行上述写入程序进行验证，结果发现，写入误码率改善了1～2位数。过去，东芝和产综研的研究小组曾实现10-3左右的误码率。如果使用这次的方式，可以改善到10-5至10-4左右。如果在一次写入程序中可实现10-5左右的误码率，通过反复写入2～3次，就可以实现10-15左右至10-10左右的低误码率，达到实用水平。写入2～3次虽然要多花一些时间，但能将写入速度控制在靠近主存储器的“末级缓存”所需要的10ns左右。 |
